講演情報
[20p-A301-8]厚さの異なる希薄窒化GaNAs量子井戸とトンネル結合したInAs量子ドットの光スピンダイナミクス
〇佐藤 紫乃1、細江 正義1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)
キーワード：
量子ドット,希薄窒化物半導体,スピンダイナミクス
室温において電子のスピン偏極度を増幅させることが知られている希薄窒化GaNAs量子井戸をInAs量子ドットにトンネル結合させた構造において、量子井戸の厚さの違いによるスピン発光特性への影響を研究した。厚さ5, 10, 20 nmの3種類のGaN0.01As0.99量子井戸が，厚さ3 nmのGaAsトンネルバリアを介してInAs量子ドットと結合した試料を分子線エピタキシー法により作製し，円偏光時間分解フォトルミネッセンス測定の結果から電子スピンダイナミクスを議論する．