Presentation Information
[20p-A302-1]Epitaxial Growth of Ga2O3 Thin Films on MgO Substrate via Mist CVD Method
〇Takumi Ikenoue1,2, Yongjin Cho2, Vladimir Protasenko2, Chandu Savant2, Bennett Cromer2, Masao Miyake1, Tetsuji Hirato1, Mike Thompson2, Debdeep Jena2, Huili Xing2 (1.Kyoto Univ., 2.Cornell Univ.)
Keywords:
Ga2O3,Mist CVD
Ga2O3 は、パワーデバイス用の有望なワイドバンドギャップ材料として期待されている。Ga2O3 は p 型化が難しいため、p型ワイドギャップ酸化物半導体として NiO が注目されている。その NiO のエピタキシャル成長用の基板として、同じ結晶構造を有し、格子不整合の小さな MgO は有望な候補である。したがって、MgO 基板上の Ga2O3 成長は、特に NiO と Ga2O3 を組み合わせたヘテロ接合デバイスの開発に重要となる。そこで、本研究では、ミスト CVD 法を用いた MgO (001) 基板上への Ga2O3 の成長について報告する。