講演情報
[20p-A302-1]ミスト CVD 法による MgO 基板上 Ga2O3 薄膜の成長
〇池之上 卓己1,2、Cho Yongjin2、Protasenko Vladimir2、Savant Chandu2、Cromer Bennett2、三宅 正男1、平藤 哲司1、Thompson Mike2、Jena Debdeep2、Xing Huili2 (1.京大院エネ科、2.コーネル大)
キーワード：
酸化ガリウム,ミストCVD法
Ga2O3 は、パワーデバイス用の有望なワイドバンドギャップ材料として期待されている。Ga2O3 は p 型化が難しいため、p型ワイドギャップ酸化物半導体として NiO が注目されている。その NiO のエピタキシャル成長用の基板として、同じ結晶構造を有し、格子不整合の小さな MgO は有望な候補である。したがって、MgO 基板上の Ga2O3 成長は、特に NiO と Ga2O3 を組み合わせたヘテロ接合デバイスの開発に重要となる。そこで、本研究では、ミスト CVD 法を用いた MgO (001) 基板上への Ga2O3 の成長について報告する。