Presentation Information
[20p-A302-11]Si doping of alpha-Al2O3 grown by molecular beam epitaxy
〇Hironori Okumura1 (1.Univ. of Tsukuba)
Keywords:
Sapphire,Electrical characterization,MBE
一般的に、バンドギャップエネルギー(Eg)の大きい固体材料は、高温高耐圧に優れる。低価格かつ大面積試料が入手可能な α-Al2O3(サファイ ア、Eg= 9eV )は有力材料の一つであるが、絶縁体とし
て知られている。我々は、M 面 α-Al2O3基板を用いて、MBE法による高品質高Al 組成(AlGa)2O3
成長を行ってきた。本研究では 、SiドープAl2O3層を成長し、電気的特性を評価した。室温で166 Ωcm を示し、Al2O3の室温電気伝導に成功した 。
て知られている。我々は、M 面 α-Al2O3基板を用いて、MBE法による高品質高Al 組成(AlGa)2O3
成長を行ってきた。本研究では 、SiドープAl2O3層を成長し、電気的特性を評価した。室温で166 Ωcm を示し、Al2O3の室温電気伝導に成功した 。