[20p-A302-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:45 〜 16:00注目講演

[20p-A302-11] MBE法により成長したSiドープα-Al₂O₃層の電気的特性評価

〇奥村 宏典¹ (1.筑波大数理)

キーワード：

サファイア,電気的特性,分子線エピタキシ

一般的に、バンドギャップエネルギー(Eg)の大きい固体材料は、高温高耐圧に優れる。低価格かつ大面積試料が入手可能な α-Al2O3(サファイ ア、Eg= 9eV )は有力材料の一つであるが、絶縁体とし
て知られている。我々は、M 面 α-Al2O3基板を用いて、MBE法による高品質高Al 組成(AlGa)2O3
成長を行ってきた。本研究では 、SiドープAl2O3層を成長し、電気的特性を評価した。室温で166 Ωcm を示し、Al2O3の室温電気伝導に成功した 。