[20p-A302-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[20p-A302-12] Ga₂O₃ growth on sapphire substrates by cold-wall MOCVD

〇Hironori Okumura¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

Ga2O3,MOCVD,Sapphire substrate

一般的に、バンドギャップエネルギー(E_g)の大きい固体材料は、高温高耐圧に優れる。低価格かつ大面積試料が入手可能なa-Al₂O₃(サファイア、E_g~9 eV)は有力材料の一つであるが、絶縁体として知られている。最近、我々は、MBE法を用いた高濃度Siドープa-Al₂O₃試料において、室温で導電性を得ることに成功した。しかし、実用化には、MOCVD法を用いた大面積化が不可欠である。今回、新たにMOCVD装置を導入し、a-Al₂O₃基板上にGa₂O₃成長を試みた。