講演情報
[20p-A302-12]Cold-wall MOCVD法を用いたサファイア基板上Ga2O3層の試作
〇奥村 宏典1 (1.筑波大 数理)
キーワード：
酸化ガリウム,有機金属気相成長,サファイア基板
一般的に、バンドギャップエネルギー(Eg)の大きい固体材料は、高温高耐圧に優れる。低価格かつ大面積試料が入手可能なa-Al2O3(サファイア、Eg~9 eV)は有力材料の一つであるが、絶縁体として知られている。最近、我々は、MBE法を用いた高濃度Siドープa-Al2O3試料において、室温で導電性を得ることに成功した。しかし、実用化には、MOCVD法を用いた大面積化が不可欠である。今回、新たにMOCVD装置を導入し、a-Al2O3基板上にGa2O3成長を試みた。