Presentation Information
[20p-A302-2]MESFETs of β-Ga2O3 grown by mist CVD
〇(D)Hitoshi Takane1, Yuji Ando2, Hidemasa Takahashi2, Ryutaro Makisako2, Hikaru Ikeda1, Tetsuzo Ueda3, Jun Suda2, Katsuhisa Tanaka1, Shizuo Fujita1, Hidetaka Sugaya3 (1.Kyoto Univ., 2.Nagoya Univ., 3.Panasonic)
Keywords:
mist CVD,beta-Ga2O3,MESFET
ミストCVD法は、安全・低コスト・省エネルギーの結晶成長技術として、主にα-Ga2O3の成長に用いられてきた。今回、ミストCVD法によりβ-Ga2O3基板上へのホモエピ成長を行い、MESFETの試作により、デバイス作製技術としてのミストCVD法の有用性を実証したので報告する。