講演情報
[20p-A302-2]ミストCVD成長β-Ga2O3を用いたMESFET
〇(D)高根 倫史1、安藤 裕二2、高橋 英匡2、牧迫 隆太郎2、池田 光1、上田 哲三3、須田 淳2、田中 勝久1、藤田 静雄1、菅谷 英生3 (1.京大、2.名大、3.パナソニック)
キーワード：
ミストCVD,β-Ga2O3,MESFET
ミストCVD法は、安全・低コスト・省エネルギーの結晶成長技術として、主にα-Ga2O3の成長に用いられてきた。今回、ミストCVD法によりβ-Ga2O3基板上へのホモエピ成長を行い、MESFETの試作により、デバイス作製技術としてのミストCVD法の有用性を実証したので報告する。