[20p-A302-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:15 〜 13:30

[20p-A302-2] ミストCVD成長β-Ga₂O₃を用いたMESFET

〇(D)高根 倫史¹、安藤 裕二²、高橋 英匡²、牧迫 隆太郎²、池田 光¹、上田 哲三³、須田 淳²、田中 勝久¹、藤田 静雄¹、菅谷 英生³ (1.京大、2.名大、3.パナソニック)

キーワード：

ミストCVD,β-Ga2O3,MESFET

ミストCVD法は、安全・低コスト・省エネルギーの結晶成長技術として、主にα-Ga₂O₃の成長に用いられてきた。今回、ミストCVD法によりβ-Ga₂O₃基板上へのホモエピ成長を行い、MESFETの試作により、デバイス作製技術としてのミストCVD法の有用性を実証したので報告する。