[20p-A302-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[20p-A302-3] Ga₂O₃ Thin Film Formed on NiO Thin Film on (001) β-Ga₂O₃ Substrate

〇Shinji Nakagomi¹ (1.Ishinomaki Senshu)

Keywords:

Ga2O3,NiO

(001) β-Ga₂O₃基板上に形成したNiO上にGa₂O₃を成膜し, どのような配向となるかを調査した。(110) MgO基板上にβ-Ga₂O₃を成膜した実験では, 回転対称な2種類の配向β-Ga₂O₃が形成されることが分かっていたが、今回の場合では、基板と同じ配向のGa₂O₃が形成されている。断面SEM、X線回折の結果を報告する。