[20p-A302-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:30 〜 13:45

[20p-A302-3] (001) β-Ga₂O₃基板上のNiO薄膜上に形成したGa₂O₃薄膜

〇中込 真二¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：

酸化ガリウム,酸化ニッケル

(001) β-Ga₂O₃基板上に形成したNiO上にGa₂O₃を成膜し, どのような配向となるかを調査した。(110) MgO基板上にβ-Ga₂O₃を成膜した実験では, 回転対称な2種類の配向β-Ga₂O₃が形成されることが分かっていたが、今回の場合では、基板と同じ配向のGa₂O₃が形成されている。断面SEM、X線回折の結果を報告する。