[20p-A302-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[20p-A302-6] Off-angle dependence of homoepitaxial growth on β-Ga₂O₃(010) substrate

〇(M2)Kyohei Nitta¹, Ken Goto¹, Hisashi Murakami², Yoshinao Kumagai¹ (1.Tokyo Univ. Agri. Tech., 2.Tokyo Univ. Agri. Tech. BASE)

Keywords:

semiconductor,gallium oxide

パワーデバイス応用が期待されているβ-Ga₂O₃は、様々な面方位の基板を用いたホモエピタキシャル成長が検討されている。中でも(010)面上成長はデバイス応用上重要と目されているが、高速成長の際にヒロックが出現することによる表面形態の悪化が課題となっている。本講演では、(010)オフ基板を用いた表面形態の改善、オフ角角度・オフ角方位依存性を示すとともに、表面形態改善のメカニズムについて考察する。