講演情報
[20p-A302-6]β-Ga2O3(010)基板上ホモエピタキシャル成長の基板オフ角依存性
〇(M2)新田 恭平1、後藤 健1、村上 尚2、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.東京農工大院BASE)
キーワード：
半導体,酸化ガリウム
パワーデバイス応用が期待されているβ-Ga2O3は、様々な面方位の基板を用いたホモエピタキシャル成長が検討されている。中でも(010)面上成長はデバイス応用上重要と目されているが、高速成長の際にヒロックが出現することによる表面形態の悪化が課題となっている。本講演では、(010)オフ基板を用いた表面形態の改善、オフ角角度・オフ角方位依存性を示すとともに、表面形態改善のメカニズムについて考察する。