Presentation Information
[20p-A302-7]Dependence of growth orientation in b-Ga2O3 crystals
grown by crucible free growth methods
〇Isao Takahashi1,2, Kochurikhin Vladimir1, Taketoshi Tomida1, Takamasa Sugawara2, Yasuhiro Shoji1, Kei Kamada1,2, Koichi Kakimoto2, Akira Yoshikawa2,1 (1.C and A corp., 2.Tohoku univ.)
Keywords:
Wide band gap semiconductor
本研究ではβ-Ga2O3結晶をルツボレスで作製する手法を用いて、結晶を作製した。今回の公演では成長方位を変えて結晶を作製し、結晶欠陥について調査を行った。