[20p-A302-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:30 〜 14:45

[20p-A302-7] ルツボレスで作製したβ-Ga₂O₃結晶の成長方位依存性

〇高橋 勲^1,2、Vladimir Kochurikhin¹、富田 健稔¹、菅原 孝昌²、庄子 育宏¹、鎌田 圭^1,2、柿本 浩一²、吉川 彰^2,1 (1.㈱C＆A、2.東北大)

キーワード：

ワイドバンドギャップ半導体

本研究ではβ-Ga₂O₃結晶をルツボレスで作製する手法を用いて、結晶を作製した。今回の公演では成長方位を変えて結晶を作製し、結晶欠陥について調査を行った。