[20p-A309-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20p-A309-19] Ferroelectricity of Ce and Mn co-doped ZnO thin films

〇Rei Ogawa¹, Kiyotaka Tanaka¹, Hideaki Adachi¹, Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:

Ferroelectric thin film,ZnO,Wurtzite structure

ウルツ鉱構造結晶における強誘電性の発現が注目を集めている。これらの報告では，ウルツ鉱構造結晶の陽イオンを置換すること で，絶縁破壊電圧を高め，分極反転に必要な電圧を低下させることによって，強誘電性を実現し ている。今回我々は，ZnO の抗電界を低下および絶縁性向上を目的としてそれぞれ Ce および Mn の 2 元素で共置換した Zn1-x(Ce,Mn)xO 薄膜を作製し，強誘電性の発現に成功したので報告する。