[20p-A309-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[20p-A309-19] Ce, Mn共置換ZnO薄膜の作製と強誘電性

〇小川 零¹、田中 清高¹、足立 秀明¹、神野 伊策¹ (1.神戸大工)

キーワード：

強誘電体薄膜,ZnO,ウルツ鉱構造

ウルツ鉱構造結晶における強誘電性の発現が注目を集めている。これらの報告では，ウルツ鉱構造結晶の陽イオンを置換すること で，絶縁破壊電圧を高め，分極反転に必要な電圧を低下させることによって，強誘電性を実現し ている。今回我々は，ZnO の抗電界を低下および絶縁性向上を目的としてそれぞれ Ce および Mn の 2 元素で共置換した Zn1-x(Ce,Mn)xO 薄膜を作製し，強誘電性の発現に成功したので報告する。