[20p-A309-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[20p-A309-5] Crystal structures of ALD deposited HfO₂ thin films on Si substrate

〇Ryuto Ichikawa¹, Keigo Naito¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Metro. Univ.)

Keywords:

Hf-based ferroelectrics,atomic layer deposition method

Hf系強誘電体は、約3 nmの極薄膜であっても強誘電性を示す。低温成長したHfO₂は、熱処理によりtetragonal相に結晶化し、monoclinic相へマルテンサイト変態する過程で強誘電性を示すorthorhombic相が準安定相として出現する。この準安定相はHfO₂への不純物ドーピング、酸素欠陥の形成によって安定化する。今回は、ALD法を用いてHfO₂薄膜を作製し、原料プリカーサや酸化源の供給量などの製膜パラメータが、形成するHfO₂薄膜の結晶構造におよぼす影響について報告する。