講演情報
[20p-A309-5]ALD法によりSi基板上に作製したHfO2薄膜の結晶構造
〇市川 龍斗1、内藤 圭吾1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
キーワード：
Hf系強誘電体,ALD法
Hf系強誘電体は、約3 nmの極薄膜であっても強誘電性を示す。低温成長したHfO2は、熱処理によりtetragonal相に結晶化し、monoclinic相へマルテンサイト変態する過程で強誘電性を示すorthorhombic相が準安定相として出現する。この準安定相はHfO2への不純物ドーピング、酸素欠陥の形成によって安定化する。今回は、ALD法を用いてHfO2薄膜を作製し、原料プリカーサや酸化源の供給量などの製膜パラメータが、形成するHfO2薄膜の結晶構造におよぼす影響について報告する。