[20p-A309-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20p-A309-9] Crystal structure analysis of (100) BiFeO₃ epitaxial thin films fabricated by combinatorial sputtering method on Si substrates

〇Kohei Takaki¹, Sengsavang Aphayvong¹, Norifumi Fujimura¹, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro. Univ.)

Keywords:

ferroelectric,epitaxial films,BiFeO3

IoT社会の実現に向け、センサーノードの数は飛躍的に増加しており、それらに電力を供給する技術として環境発電が注目を集めている。我々は、圧電MEMS振動発電素子（MEMS-pVEH）の開発を進めており、圧電材料には巨大な自発分極を持つ非鉛強誘電体であるBiFeO₃に着目している。本発表では、LaNiO₃シード層を用いて単相成長させた(100)BiFeO₃エピタキシャル薄膜を作製し、Bi供給量と成長温度が結晶構造に与える影響を調べた。