[20p-A309-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[20p-A309-9] コンビナトリアルスパッタ法を用いて作製したSi基板上(100)BiFeO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造解析

〇高木 昂平¹、Aphayvong Sengsavang¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大院工)

キーワード：

強誘電体薄膜,エピタキシャル膜,BiFeO3

IoT社会の実現に向け、センサーノードの数は飛躍的に増加しており、それらに電力を供給する技術として環境発電が注目を集めている。我々は、圧電MEMS振動発電素子（MEMS-pVEH）の開発を進めており、圧電材料には巨大な自発分極を持つ非鉛強誘電体であるBiFeO₃に着目している。本発表では、LaNiO₃シード層を用いて単相成長させた(100)BiFeO₃エピタキシャル薄膜を作製し、Bi供給量と成長温度が結晶構造に与える影響を調べた。