[20p-A311-1~8] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[20p-A311-4] Growth of highly uniform InAs quantum dots on 4-inch GaAs substrate

〇Daiki Hatakeyama¹, Tamami Naruke¹, Kenichi Nishi¹, Yutaka Onishi¹, Keizo Takemasa¹ (1.QD Laser, Inc.)

Keywords:

MBE

量子ドットレーザのコスト削減に向けて、4インチGaAs基板上でMBE法によるInAs量子ドットの成長を行った。初めに3インチ基板と同じ条件で成長したところ、PLマッピングが面内で不均一になってしまった。4インチ基板向けに基板ヒーターの条件を最適化することで、3インチ基板と同じくらい面内均一に量子ドットを成長することができた。