講演情報
[20p-A311-4]4inch GaAs基板上における高均一InAs量子ドットの成長
〇畠山 大輝1、成毛 環美1、西 研一1、大西 裕1、武政 敬三1 (1.株式会社QDレーザ)
キーワード：
分子線エピタキシー
量子ドットレーザのコスト削減に向けて、4インチGaAs基板上でMBE法によるInAs量子ドットの成長を行った。初めに3インチ基板と同じ条件で成長したところ、PLマッピングが面内で不均一になってしまった。4インチ基板向けに基板ヒーターの条件を最適化することで、3インチ基板と同じくらい面内均一に量子ドットを成長することができた。