[20p-B101-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)

[20p-B101-13] Emission characteristics of GaInN/GaN-based multiple quantum shell LEDs with different emission areas

〇(M2)Souma Inaba¹, Weifang Lu², Shima Ayaka¹, Ii Shiori¹, Takahashi Mizuki¹, Yamanaka Yuki¹, Hattori Yuta¹, Kubota Kosei¹, Kamiyama Satoshi¹, Takeuchi Tetsuya¹, Iwaya Motoaki¹ (1.Meijou Univ., 2.Xiamen Univ.)

Keywords:

semiconductor,nitride,nanowire

本研究グループではナノワイヤ(NW)及び多重量子殻活性層(MQS)を用いたLEDの研究を行っている。MQS-LEDはメサ領域に隣接するNWを除去することでデバイス加工時に起因する高密度の表面欠陥を持つ側壁の影響を最小限にすることができる。したがってmicro-LEDの課題であるEQEの減少を抑制の可能性があることからMQS-LEDの発光面積を小さくした時のデバイス性能に及ぼす影響について調査した。