講演情報
[20p-B101-13]異なる発光面積を有するGaInN/GaN系多重量子殻LEDの光学特性
〇(M2)稲葉 颯磨1、Lu Weifang2、島 綾香1、伊井 詩織1、高橋 美月1、山中 優輝1、服部 祐汰1、久保田 光星1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.廈門大学)
キーワード：
半導体,窒化物,ナノワイヤ
本研究グループではナノワイヤ(NW)及び多重量子殻活性層(MQS)を用いたLEDの研究を行っている。MQS-LEDはメサ領域に隣接するNWを除去することでデバイス加工時に起因する高密度の表面欠陥を持つ側壁の影響を最小限にすることができる。したがってmicro-LEDの課題であるEQEの減少を抑制の可能性があることからMQS-LEDの発光面積を小さくした時のデバイス性能に及ぼす影響について調査した。