[20p-B101-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[20p-B101-7] Fabrication and evaluation of neutron detectors using BGaN growth on Si substrates and QST substrate

〇(M2)Shun Nishikawa¹, Yusaku Hashimoto¹, Seiya Kawasaki², Genichiro Wakabayashi³, Yoshio Honda⁴, Hiroshi Amano⁴, Norikazu Ito⁵, Taketoshi Tanaka⁵, Ken Nakahara⁵, Yoku Inoue¹, Toru Aoki⁶, Takayuki Nakano^1,6 (1.Shizuoka Univ, 2.Nagoya Univ, 3.Kindai Univ, 4.IMaSS Nagoya Univ, 5.ROHM, 6.R.I.E. Shizuoka Univ)

Keywords:

MOVPE,BGaN,neutron detection

中性子捕獲断面積の大きいBを含むBGaNは中性子検出半導体として期待されている。これまでのBGaNデバイス開発で用いられていたサファイア基板では大口径化に課題があるため、Si基板及びQromis社が開発したQST基板を使用してBGaN中性子検出器の試作と放射線特性評価を行った。実験結果では、Si基板とQST基板上に作製した検出器において、サファイア基板上に作製した検出器と同等の中性子を検出することが示され、大口径化の可能性が示唆された。