講演情報
[20p-B101-7]Si 基板及び QST 基板上への BGaN 成長を用いた 中性子検出器の作製と評価
〇(M2)西川 瞬1、橋本 優作1、川崎 晟也2、若林 源一郎3、本田 善央4、天野 浩4、伊藤 範和5、田中 岳利5、中原 健5、井上 翼1、青木 徹6、中野 貴之1,6 (1.静大院工、2.名大院工、3.近大原研、4.名大IMaSS、5.ローム、6.静大電研)
キーワード：
MOVPE,BGaN,中性子検出
中性子捕獲断面積の大きいBを含むBGaNは中性子検出半導体として期待されている。これまでのBGaNデバイス開発で用いられていたサファイア基板では大口径化に課題があるため、Si基板及びQromis社が開発したQST基板を使用してBGaN中性子検出器の試作と放射線特性評価を行った。実験結果では、Si基板とQST基板上に作製した検出器において、サファイア基板上に作製した検出器と同等の中性子を検出することが示され、大口径化の可能性が示唆された。