[21a-A202-1~11] 17.3 Layered materials

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[21a-A202-7] Photocurrent Characterization of Methylated Germanane Thin Film Transistors

〇Yuki Hiraoka¹, Kohei Hachiya¹, Osamu Kubo^1,2, Hiroshi Tabata¹, Mitsuhiro Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.Gifu Univ.)

Keywords:

group 14 layered materials,semiconductor,field effect transistor

近年、新規半導体材料の研究が盛んに行われている。本研究ではグラフェンに代表される14族層状物質である、メチル化ゲルマナン（GeCH₃）に注目した。GeCH₃は約1.8 eVの直接バンドギャップを持ち、高いキャリア移動度が理論予測されている。本研究ではメチル化ゲルマナン薄膜トランジスタの光電流特性の調査を行った。光電流の時間応答には急峻な成分と緩やかな成分が存在し、それぞれPC効果とPG効果によるものであると考えられる。