[21a-A202-1~11] 17.3 層状物質

10:45 〜 11:00

[21a-A202-7] メチル化ゲルマナン薄膜トランジスタの光電流特性評価

〇平岡 佑貴¹、蜂谷 航平¹、久保 理^1,2、田畑 博史¹、片山 光浩¹ (1.阪大院、2.岐阜大)

キーワード：

14族層状物質,半導体,電界効果トランジスタ

近年、新規半導体材料の研究が盛んに行われている。本研究ではグラフェンに代表される14族層状物質である、メチル化ゲルマナン（GeCH₃）に注目した。GeCH₃は約1.8 eVの直接バンドギャップを持ち、高いキャリア移動度が理論予測されている。本研究ではメチル化ゲルマナン薄膜トランジスタの光電流特性の調査を行った。光電流の時間応答には急峻な成分と緩やかな成分が存在し、それぞれPC効果とPG効果によるものであると考えられる。