[21a-A302-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21a-A302-3] Experimental search for an operation that maximizes the amount of negative ions using laser photodetachment

〇(M1)Ryoya Horie¹, Takuto Tomotsu¹, Subaru Nishio¹, Tensei Tanba¹, Haruhiko Himura¹, Akio Sanpei¹, Yuichi Kwachi¹, Takashi Kanki² (1.Kyoto Inst. Tech., 2.Japan Coast Guard Acad.)

Keywords:

semiconductor,negative ion,plasma process

従来のプラズマプロセスでは、高エネルギーイオンが基板表面近くに存在し、基板表面にダメージを与えるダイレクトプラズマ（DP）方式が広く用いられている。我々の研究室では、反応性負イオンのエネルギーを制御し、DP方式に替わるプロセス方式の負イオンビーム照射装置の開発を進めている。本発表ではその装置での負イオン量をレーザー光脱離法により計測し、負イオン量を最大にするオペレーションを探索した結果を報告する。