講演情報
[21a-A302-3]レーザー光脱離法を用いた負イオン量を最大にするオペレーションの実験的探索
〇(M1)堀江 凌矢1、鞆津 匠人1、西尾 昴1、丹波 天晴1、比村 治彦1、三瓶 明希夫1、河内 裕一1、神吉 隆司2 (1.京都工芸繊維大学、2.海上保安大学校)
キーワード：
半導体,負イオン,プラズマプロセス
従来のプラズマプロセスでは、高エネルギーイオンが基板表面近くに存在し、基板表面にダメージを与えるダイレクトプラズマ（DP）方式が広く用いられている。我々の研究室では、反応性負イオンのエネルギーを制御し、DP方式に替わるプロセス方式の負イオンビーム照射装置の開発を進めている。本発表ではその装置での負イオン量をレーザー光脱離法により計測し、負イオン量を最大にするオペレーションを探索した結果を報告する。