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10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21a-A302-6]Control of Metal Impurity Doping during Boron Nitride Deposition Using RePAC System

〇Yuya Asamoto^1,5, Masao Noma², Shigehiko Hasegawa³, Michiru Yamashita⁴, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.Shinko Seiki, 3.Osaka Univ., 4.Hyogo Pref. Inst. Technol., 5.JSPS Research Fellow)

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Keywords:

boron nitride,hot filament,doping

我々は，熱フィラメントによる熱電子供給機構を活用した反応性プラズマ支援成膜（RePAC）法を提案してきた．RePAC法により，フィラメント材構成元素を導入した窒化ホウ素（BN）膜を作製可能である．BN膜性能設計上，膜中のフィラメント構成元素割合制御は非常に重要である．本研究では，タングステン（W）熱陰極放電を用いた成膜中のW導入量制御手法を提示する．また，BN膜へのW導入効果を議論する．

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