[21a-B101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21a-B101-1] Device characteristics of GaInN-besed photovoltaic cells fabricated on Free-Standing GaN substrate for optical wireless power transmission system

〇Takahiro Fujisawa¹, Hu Nan¹, Tomoki Kojima¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:

MOCVD,GaInN-MQW,photovoltaic cell

当研究室では、光無線給電システムへの適用を目的にGa_0.9In_0.1N/GaN MQW を光吸収層とするGaInN系受光素子をc面サファイア基板上に試作し、その結果、波長389nmの単色光を入射したときのパワー変換効率として42.7%という高い値を報告している。本研究では変換効率のさらなる向上のために、結晶品質を向上させることのできる自立GaN基板を用いてGaInN系受光素子を成長、さらにTMAH処理とALD-Al₂O₃反射防止膜を利用したデバイスを作製し、単色光照射下での性能評価を行ったので報告する。