[21a-B101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[21a-B101-1] 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価

〇藤澤 孝博¹、Nan Hu¹、小嶋 智輝¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：

MOCVD,GaInN-MQW,受光素子

当研究室では、光無線給電システムへの適用を目的にGa_0.9In_0.1N/GaN MQW を光吸収層とするGaInN系受光素子をc面サファイア基板上に試作し、その結果、波長389nmの単色光を入射したときのパワー変換効率として42.7%という高い値を報告している。本研究では変換効率のさらなる向上のために、結晶品質を向上させることのできる自立GaN基板を用いてGaInN系受光素子を成長、さらにTMAH処理とALD-Al₂O₃反射防止膜を利用したデバイスを作製し、単色光照射下での性能評価を行ったので報告する。