[21a-B101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[21a-B101-11] Cross-sectional Investigation by Kelvin Probe Force Microscopy around a GaN/GaN Interface Fabricated by Surface-activated Bonding

〇Sihan Wen¹, Kazuki Sawai³, Jianbo Liang³, Naoteru Shigekawa³, Takuji Takahashi^1,2 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.IMQUE, Univ. of Tokyo, 3.Osaka Metropolitan Univ.)

Keywords:

Surface-activated Bonding Method,Gallium nitride,Kelvin Probe Force Microscopy

表面活性化接合法を用いて作製したGaN/GaN接合試料の研磨断面を、高い空間分解能にて表面電位の計測が可能なケルビン・プローブ・フォース顕微鏡にて観測した結果、GaN/GaN界面付近に電子への障壁となるような電位の上昇が見られることがわかった。また、電流−電圧特性の温度依存性の測定結果との比較や、試料への熱処理による界面への影響などについても議論する。