講演情報
[21a-B101-11]表面活性化接合法で作製したGaN/GaN界面近傍のケルビン・プローブ・フォース顕微鏡による断面計測
〇文 思翰1、澤井 一樹3、梁 剣波3、重川 直輝3、高橋 琢二1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構、3.大阪公立大院工)
キーワード：
表面活性化接合法,窒化ガリウム,ケルビン・プローブ・フォース顕微鏡
表面活性化接合法を用いて作製したGaN/GaN接合試料の研磨断面を、高い空間分解能にて表面電位の計測が可能なケルビン・プローブ・フォース顕微鏡にて観測した結果、GaN/GaN界面付近に電子への障壁となるような電位の上昇が見られることがわかった。また、電流−電圧特性の温度依存性の測定結果との比較や、試料への熱処理による界面への影響などについても議論する。