[21a-B101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21a-B101-3] Demonstration of Normally-Off Operation of High Al Composition AlGaN Channel HEMTs with Gate Recess Regions

〇Itsuki Nakaoka¹, Makoto Urushiyama¹, Etsushi Kubota², Kenjiro Uesugi^2,3, Takao Nakamura¹, Hideto Miyake¹ (1.Grad. Sch. of Eng. Mie Univ., 2.Grad. Sch. of RIS Mie Univ., 3.ORIP)

Keywords:

Niteride Semiconductor,HEMT,AlGaN channel

AlGaNチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)は、GaNチャネルHEMTと比較して高耐圧や高温環境下での安定動作が期待される。本研究では、FFA Sp-AlN上AlGaNチャネルHEMTにゲートリセス構造を導入することで、しきい値電圧を正バイアス側にシフトさせるノーマリーオフ型デバイスを実現した。