[21a-B101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[21a-B101-3] ゲートリセス領域を有する高Al組成AlGaNチャネルHEMTのノーマリーオフ動作

〇中岡 樹¹、漆山 真¹、久保田 悦司²、上杉 謙次郎^2,3、中村 孝夫¹、三宅 秀人¹ (1.三重大院工、2.三重大院イノベ、3.三重大研究基盤推進機構)

キーワード：

窒化物半導体,HEMT,AlGaNチャネル

AlGaNチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)は、GaNチャネルHEMTと比較して高耐圧や高温環境下での安定動作が期待される。本研究では、FFA Sp-AlN上AlGaNチャネルHEMTにゲートリセス構造を導入することで、しきい値電圧を正バイアス側にシフトさせるノーマリーオフ型デバイスを実現した。