[21a-B101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[21a-B101-9] Characterization of InGaN-based MQW laser loaded with air/GaN high-reflectivity DBR

〇Shuya Sato¹, Taiki Hayano¹, Akihiko Kikuchi^1,2,3 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Photonics Research Center, 3.Sophia Semiconductor Research Inst.)

Keywords:

GaN,DBR,Ultra low threshold

我々は次世代ディスプレイ技術として、レーザスキャン型コンタクトレンズディスプレイの研究を行っている。内部にレーザ素子を埋め込む場合、超低閾値動作が要求される。これまでの研究で水素雰囲気異方性熱エッチング（HEATE）法を用いた高反射率が期待される空気/GaN DBR構造の作製などを報告してきた。本研究では、FDTD解析による空気/GaN-DBRを装荷した青紫色レーザの閾値電流特性を検討した。