講演情報
[21a-B101-9]空気/GaN高反射率DBRを装荷したInGaN系MQWレーザの特性解析
〇佐藤 秀哉1、早野 太樹1、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研)
キーワード：
窒化ガリウム,分布ブラッグ型反射鏡,超低閾値
我々は次世代ディスプレイ技術として、レーザスキャン型コンタクトレンズディスプレイの研究を行っている。内部にレーザ素子を埋め込む場合、超低閾値動作が要求される。これまでの研究で水素雰囲気異方性熱エッチング（HEATE）法を用いた高反射率が期待される空気/GaN DBR構造の作製などを報告してきた。本研究では、FDTD解析による空気/GaN-DBRを装荷した青紫色レーザの閾値電流特性を検討した。