[21a-P06-1~17] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[21a-P06-12] Performance of Al_0.40In_0.60Sb/Ga_0.22In_0.78Sb HEMT with Undoped-cap Layer

〇Ryuto Machida¹, Naoyuki Kishimoto², Yuuto Isomae², Takuya Hayashi², Munemasa Kunisawa², Akira Endoh², Hiroki Fujishiro², Yoshimi Yamashita¹, Shinsuke Hara¹, Akifumi Kasamatsu¹, Issei Watanabe^1,2 (1.NICT, 2.Tokyo Univ. of Science)

Keywords:

antimonide-based compound semiconductors,high electron mobility transistor,undoped-cap layer

n⁺キャップ層に形成するゲートリセス構造はデバイス特性に大きく影響する。本研究では，エピ構造の最表層が3 nm厚アンドープInSbキャップ層，30 nm厚Teドープn⁺-InSbキャップ層の2種類のAl_0.40In_0.60Sb/Ga_0.22In_0.78Sb HEMT（undoped-cap HEMT，doped-cap HEMT）を作製，キャップ層の違いがこれらのDC・RF特性に与える影響を考察したので報告する。