[21a-P06-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-P06-12] アンドープキャップAl_0.40In_0.60Sb/Ga_0.22In_0.78Sb HEMTの特性

〇町田 龍人¹、岸本 尚之²、礒前 雄人²、林 拓也²、國澤 宗真²、遠藤 聡²、藤代 博記²、山下 良美¹、原 紳介¹、笠松 章史¹、渡邊 一世^1,2 (1.情報通信研究機構、2.東理大)

キーワード：

アンチモン系化合物半導体,高電子移動度トランジスタ,アンドープキャップ層

n⁺キャップ層に形成するゲートリセス構造はデバイス特性に大きく影響する。本研究では，エピ構造の最表層が3 nm厚アンドープInSbキャップ層，30 nm厚Teドープn⁺-InSbキャップ層の2種類のAl_0.40In_0.60Sb/Ga_0.22In_0.78Sb HEMT（undoped-cap HEMT，doped-cap HEMT）を作製，キャップ層の違いがこれらのDC・RF特性に与える影響を考察したので報告する。