[21a-P06-1~17] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[21a-P06-13] 1.2kV Class Normally-off Polarization Super Junction (PSJ) GaN Transistors

〇Shuichi Yagi¹, Hironori Nakamura¹, Yusuke Kamiyama¹, Takahiko Kawasaki¹, Ryoji Kitahara¹, Yuta Isa¹, Hironobu Narui¹ (1.POWDEC K.K.)

Keywords:

Gallium Nitride,Transistor

リセス構造を採用せず一度のエピタキシャル成長で結晶構造を構築し、ノーマリーオフ特性を持つ1.2 kV級のノーマリーオフ特性を持つpsj-GaN FET を作製した。
オン抵抗は115 mΩ、立ち上がり電圧は0.8V でノーマリーオフ特性を確認した。オフ状態でドレイン電圧1300 V でも破壊しなかった。800Vのスイッチング評価において、電流コラプスの影響は認められなかった。