[21a-P06-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-P06-13] 1.2kV級ノーマリーオフ PSJ GaN FET

〇八木 修一¹、中村 嘉孝¹、神山 祐輔¹、河崎 孝彦¹、北原 諒二¹、伊佐 雄太¹、成井 啓修¹ (1.株式会社パウデック)

キーワード：

窒化ガリウム,トランジスタ

リセス構造を採用せず一度のエピタキシャル成長で結晶構造を構築し、ノーマリーオフ特性を持つ1.2 kV級のノーマリーオフ特性を持つpsj-GaN FET を作製した。
オン抵抗は115 mΩ、立ち上がり電圧は0.8V でノーマリーオフ特性を確認した。オフ状態でドレイン電圧1300 V でも破壊しなかった。800Vのスイッチング評価において、電流コラプスの影響は認められなかった。