Presentation Information
[21a-P06-17]X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of SiO2/GaN Formed by Atomic-Species-Enhanced Chemical Vapor Deposition
〇Sho Yamagata1, Sogo Shikata1, Masakazu Furukawa2, Akihiro Wakahara1, Hiroshi Okada1 (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.Aries Research Limited Company)
Keywords:
Chemical Vapor Deposition,silicon dioxide
我々は基底状態原子支援化学気相堆積(Atomic Species Enhanced Chemical Vapor Deposition: ASECVD)法を開発し、シリコン酸化膜/窒化物半導体構造のデバイス応用の検討を進めている。この手法では、低ダメージで高品質な膜堆積が期待できる。これまでASECVD法によるMOS構造の電気的特性の評価を中心に報告してきた。今回は、X線光電子分光(XPS)法を用いSiO2/GaN構造の界面に注目した評価を行った。