[21a-P06-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-P06-17] 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜/窒化物半導体構造のX線光電子分光評価

〇山形 翔¹、鹿田 颯吾¹、古川 雅一²、若原 昭浩¹、岡田 浩¹ (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ(有))

キーワード：

化学気相堆積法,SiO2

我々は基底状態原子支援化学気相堆積(Atomic Species Enhanced Chemical Vapor Deposition: ASECVD)法を開発し、シリコン酸化膜/窒化物半導体構造のデバイス応用の検討を進めている。この手法では、低ダメージで高品質な膜堆積が期待できる。これまでASECVD法によるMOS構造の電気的特性の評価を中心に報告してきた。今回は、X線光電子分光(XPS)法を用いSiO₂/GaN構造の界面に注目した評価を行った。