Presentation Information
[21a-P06-8]Local atomic structure of the Al2O3/GaN interface by X-ray absorption spectroscopy
〇Noritake Isomura1, Daigo Kikuta1, Naoko Takahashi1, Satoru Kosaka1, Keita Kataoka1 (1.Toyota CRDL)
Keywords:
semiconductor,interface,XAFS
ゲート絶縁膜(Al2O3)/半導体(GaN)界面に対して、開発した表面敏感X線吸収分光法を適用し、界面の原子構造解析を試みた。原子層堆積 によるAl2O3薄膜を用いることにより、GaN側界面を捉えることができた。また、アニールによる結晶性の変化とGaN酸化層の生成を示唆する結果 を得た。