講演情報

[21a-P06-8]X線吸収分光による絶縁膜/GaN界面の原子構造解析

〇磯村典武¹、菊田大悟¹、高橋直子¹、小坂悟¹、片岡恵太¹ (1.豊田中研)

半導体,界面,XAFS

ゲート絶縁膜(Al₂O₃)/半導体(GaN)界面に対して、開発した表面敏感X線吸収分光法を適用し、界面の原子構造解析を試みた。原子層堆積によるAl₂O₃薄膜を用いることにより、GaN側界面を捉えることができた。また、アニールによる結晶性の変化とGaN酸化層の生成を示唆する結果を得た。