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5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21p-B101-14]Single crystal growth of GaN thin film using μCLS method

〇(M1)Kazushi Okamoto¹, Yoshida Kouki¹, Yeh Wenchang¹ (1.Shimane Univ. Graduate School of Natural Sciences)

Keywords:

Semiconductor,lazer aneal,Crystal growth

GaN単結晶を形成するNaフラックス法は大面積化が難しく高コストであり、エピタキシャル成長はミスフィット転位の問題がある。本研究ではマイクロシェブロンレーザー走査(μCLS)法によるGaN薄膜の単結晶化を試みた。 GaNを窒素欠陥のバンドテール欠陥で405nmでの吸収係数を発生させるよう堆積し、GeO₂をキャップ膜として堆積した。次にμCLS法で100mm/sで走査した。試料評価の結果、(111)立方晶GaNが幅約2µm、長さ約130µmで成長していた。

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