講演情報
[21p-B101-14]マイクロシェブロンレーザー走査法によるGaN膜中の単結晶帯成長
〇(M1)岡本 和士1、吉田 浩貴1、葉 文昌1 (1.島根大学 自然科学研研究科)
キーワード：
半導体,レーザーアニール,結晶成長
GaN単結晶を形成するNaフラックス法は大面積化が難しく高コストであり、エピタキシャル成長はミスフィット転位の問題がある。本研究ではマイクロシェブロンレーザー走査(μCLS)法によるGaN薄膜の単結晶化を試みた。 GaNを窒素欠陥のバンドテール欠陥で405nmでの吸収係数を発生させるよう堆積し、GeO₂をキャップ膜として堆積した。 次にμCLS法で100mm/sで走査した。試料評価の結果、(111)立方晶GaNが幅約2µm、長さ約130µmで成長していた。